1 Нормативные документы для разработки ооп во по направлению подготовки 11. 04. 04 «Электроника и наноэлектроника»


Современные методы моделирования приборов наноэлектроники



страница12/14
Дата17.10.2016
Размер1.35 Mb.
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   14

2.3.Современные методы моделирования приборов наноэлектроники


1.Место дисциплины в структуре основной образовательной программы (ООП).

Дисциплина относится к вариативной части учебного цикла –Д В2.2.и предназначена для студентов очной формы обучения по направлению подготовки 11.04.04Электроника и наноэлектроника.К исходным требованиям, необходимым для изучения дисциплины «Современные методы моделирования приборов наноэлектроники», относится знания, умения и виды деятельности, сформулированные в процессе изучения дисциплин: «Проектирование электронной компонентной базы», «Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и интегральных схем», «Физика твердого тела», «Квантовая механика».



2.Место дисциплины в модульной структуре ООП.

Дисциплина «Современные методы моделирования приборов наноэлектроники» является дисциплиной по выбору.


3.Цель изучения дисциплины.

формирование знаний о математических методах моделирования объектов и приборов, работа которых основана на квантово-размерных эффектах.

Целью дисциплины является также научить основам проектирования и конструирования элементов и приборов наноэлектроники с использованием современных математических методов компьютерного моделирования и численных методов решения соответствующих физических уравнений.

4.Структура дисциплины.

Дисциплина состоит из трех разделов. Раздел 1. Математическое моделирование зонной структуры, положений уровней энергии, электрических и оптических характеристик многослойных гетероструктур: Предмет дисциплины и ее задачи. Основные математические соотношения, описывающие транспорт носителей заряда вмногослойныхгетероструктурах и численные методы их решения.Расчет энергии уровней квантования в многослойной гетероструктуре на основе полупроводников А3В5.Моделирование коэффициентов прохождения и ВАХ резонансно-теннельного диода. Раздел 2. Математическое моделирование квантовых точек и приборов с квантовыми точками: Расчет энергии уровней квантования квантовых точек GeSi в кремниевой матрице.Моделирование электрических характеристик и ВАХ одноэлектронного транзистора на квантовой точке.Раздел 3. Математическое моделирование технологических процессов создания квантово-размерных структур: Моделирование процесса получения многослойных дельта-легированных слоев. Моделирование характеристик фотоприемной матрицы на многослойной гетероструктуре.

5.Основные образовательные технология

В учебном процессе используются следующие образовательные технологии: по организационным формам: практические занятия, индивидуальные занятия, контрольные работы; по преобладающим методам и приемам обучения: объяснительно-иллюстративные (объяснение, показ- демонстрация учебного материала и др.) и проблемные, поисковые (анализ конкретных ситуаций,; активные (анализ учебной и научной литературы, составление схем и др.) и интерактивные, в том числе и групповые (взаимное обучение в форме подготовки и обсуждения докладов и др.); информационные, компьютерные, мультимедийные (работа с источниками сайтов академических структур, научно-исследовательских организаций, электронных библиотек и др., разработка презентаций сообщений и докладов, работа с электронными обучающими программами и т.п.).

6.Требования к результатам освоения дисциплины.

Процесс изучения дисциплины направлен на формирование элементов следующих компетенций в соответствии с ФГОС ВО и ООП ВО по данномунаправлениюподготовки (специальности):

а) Общекультурными компетенциями:

- способностью совершенствовать и развивать свой интеллектуальный и общекультурный уровень (ОК-1),

- способность использовать на практике умения и инновации в организации проектных работ, (ОК-4);

- готовностью к активному общению с коллегами в научной, производственной и социально-общественного сферах деятельности (ОК-6).

(ПК):

б) Общепрофессиональные компетенции:



- способностью использовать результаты освоения дисциплины

- способностью понимать основные проблемы в своей предметной области:

- способностью самостоятельно приобретать и использовать в практической деятельности новые знания и умения;

проектно- конструкторская деятельность:

- способность анализировать состояние научно-технической проблемы путем подбора, изучения и анализа литературных источников;

- готовностью определять цели, осуществлять постановку задач проектирования электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения;

способностью проектировать устройства, приборы и системы электронной техники с учетом заданных требований;

проектно-технологическая деятельность:

способностью разрабатывать тестовые задания на проектирование технологических процессов производства изделий электронной техники;

- способностью владеть методами проектирования технологических процессов производств изделий электронной техники с использованием автоматизированных систем технологической подготовки производства,

-готовностью обеспечивать технологичность изделий электронной техники и процессов их изготовления, оценивать экономическую эффективность технических процессов.

В результате освоения дисциплины обучающийся должен: Знать: физическую сущность процессов, протекающих в квантово-размерных структурах, основные уравнения квантовой физики, математические методы постановки и решения задачи; Уметь: Правильно составить математическую модель элемента и/или прибора наноэлектроники с заданными свойствами, рассчитать необходимые характеристики, провести анализ полученных результатов;



Владеть:владеть математическими методами анализа и расчета структур и технологических параметров приборов наноэлектроники, иметь представление о современном состоянии, тенденциях развития конструкции и технологии создания приборов наноэлектроники.

7.Общая трудоемкость дисциплины.

зачетных единицы (72 академических часа)

8.Формы контроля.

Промежуточные аттестация, зачет (3 семестр).

9.Составитель.

к.т.н, доцент Панченко В.А.
2.3.1.Модели и методы анализа проектных решений

  1. Место дисциплины в структуре основной образовательной программы (ООП).

Дисциплина относится к вариативной части учебного цикла – ДВ2.3. и предназначена для студентов очной формы обучения по направлению подготовки 11.04.04 Электроника и наноэлектроника магистерской программы «Проектирование и технология изделий микро- и наноэлектроники. К исходным требованиям, необходимым для изучения дисциплины «Модели и методы анализа проектных решений», относится знания, умения и виды деятельности, сформулированные в процессе изучения дисциплин: «Материалы и компоненты электронной техники», «Проектирование электронной компонентной базы», «Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и интегральных схем».

  1. Место дисциплины в модульной структуре ООП.

Каталог: docs
docs -> Оценка рисков в Донецком бассейне Закрытие шахт и породные отвалы Филипп Пек
docs -> Потенциальные места трудоустройства выпускников огу в разрезе укрупненных групп направлений подготовки и специальностей
docs -> Наименование специализированных аудиторий и лабораторий Перечень оборудования
docs -> Инструкция по использованию «вак-системы»
docs -> Решение заказчика
docs -> Программа дисциплины корпоративные системы управления проектами фгос впо третьего поколения Профессиональный цикл
docs -> Круг обязанностей
docs -> Решение проблем формирования профессиональной компетенции педагога в условиях информатизации современного образования требует изменения содержания существующей
docs -> Iid-094 «Интегрированная корпоративная система отчетности (иксо)» Техническое задание москва 2015


Поделитесь с Вашими друзьями:
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   14


База данных защищена авторским правом ©grazit.ru 2019
обратиться к администрации

войти | регистрация
    Главная страница


загрузить материал