1 Нормативные документы для разработки ооп во по направлению подготовки 11. 04. 04 «Электроника и наноэлектроника»


Интегральные схемы на диэлектрических подложках



страница9/14
Дата17.10.2016
Размер1.35 Mb.
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   14

2.6.Интегральные схемы на диэлектрических подложках


1.Место дисциплины в структуре основной образовательной программы (ООП).

Дисциплина относится к базовой (общепрофессиональной) части учебного цикла – В2.7 и предназначена для студентов очной формы обучения по направлению подготовки 11.04.04 Электроника и наноэлектроника.



2.Место дисциплины в модульной структуре ООП.

Дисциплина " Интегральные схемы на диэлектрических подложках " является дисциплиной по выбору.


3.Цель изучения дисциплины.

Целью освоения учебной дисциплины «Интегральные схемы на диэлектрических подложках» является изучение принципов построения, особенностей конструктивно-технологической реализации и методов эффективного управления процессами формирования тонких пленок кремния на изолирующих подложках; развитие способности к самостоятельному анализу и использованию полученных знаний в профессиональной деятельности; формирование общекультурных и профессиональных компетенций.



4.Структура дисциплины.

Дисциплина состоит из трех разделов. Раздел 1. ИС на структурах кремний на сапфире: Особенности конструктивно-технологической реализации ИС на диэлектриках и полупроводниках. Методы изоляции. Структуры кремний на сапфире. Дефектность структур кремний на сапфире. Влияние технологических факторов на дефектность структур кремний на сапфире. Влияние дефектов на параметры приборов. Улучшение структур пленок КНС ионной имплантацией. Раздел 2. ИС на структурах кремний на изоляторе: Методы формирования изолирующих слоев. Структуры КНИ по технологии Si МОХ. Структуры КНИ полученные методом прямого связывания пластин. Формирования структур КНИ на основе пористого кремния. Формирование структур КНИ имплантации атомов кислорода и азота. Изоляция элементов ИС пористым кремнием. Раздел 3. Характеристики ИС на диэлектрических подложках: МДП- транзисторы на КНС - структурах. Тонкопленочные КНИ МДП - транзисторы. МДП -транзисторы на КНД-структурах. Структура с диэлектрической изоляцией. Применение КНИ -технологии. Характеристики транзисторов на КНИ - структурах. Основные тенденции и направления развития и совершенствования ИС на диэлектрических подложках.



5.Основные образовательные технология

В учебном процессе используются следующие образовательные технологии: по организационным формам: практические занятия, индивидуальные занятия, контрольные работы; по преобладающим методам и приемам обучения: объяснительно-иллюстративные (объяснение, показ- демонстрация учебного материала и др.) и проблемные, поисковые (анализ конкретных ситуаций,; активные (анализ учебной и научной литературы, составление схем и др.) и интерактивные, в том числе и групповые (взаимное обучение в форме подготовки и обсуждения докладов и др.); информационные, компьютерные, мультимедийные (работа с источниками сайтов академических структур, научно-исследовательских организаций, электронных библиотек и др., разработка презентаций сообщений и докладов, работа с электронными обучающими программами и т.п.).

6.Требования к результатам освоения дисциплины.

Процесс изучения дисциплины направлен на формирование элементов следующих компетенций в соответствии с ФГОС ВО и ООП ВО по данномунаправлениюподготовки (специальности):

а) Общекультурными компетенциями:

- способностью совершенствовать и развивать свою интеллектуальную и общекультурную уровень (ОК-1),

- способность использовать на практике умения и инновации в организации проектных работ, (ОК-4);

- готовностью к активному общению с коллегами в научной, производственной и социально-общественной сферах деятельности (ОК-6).

(ПК):

б) Общепрофессиональные компетенции:



- способностью использовать результаты освоения дисциплины

- способностью понимать основные проблемы в своей предметной области:

- способностью самостоятельно приобретать и использовать в практической деятельности новые знания и умения;

проектно- конструкторская деятельность:

- способность анализировать состояние научно-технической проблемы путем подбора, изучения и анализа литературных источников;

- готовностью определять цели, осуществлять постановку задач проектирования электронных приборов, схем и устройств различного функционального назначения;

- способностью проектировать устройства, приборы и системы электронной техники с учетом заданных требований;

проектно-технологическая деятельность:

- способностью разрабатывать тестовые задания на проектирование технологических процессов производства изделий электронной техники;

- способностью владеть методами проектирования технологических процессов производств изделий электронной техники с использованием автоматизированных систем технологической подготовки производства,

-готовностью обеспечивать технологичность изделий электронной техники и процессов их изготовления, оценивать экономическую эффективность технических процессов.

В результате освоения дисциплины обучающийся должен:



Знать: Конструктивно-технологические особенности ИС на структурах кремний на изоляторе, принципы реализации схем на изолирующих подложках, способы формирования КНС и КНИ структур, методы снижения дефектности структур.

Уметь: Находить оптимальные варианты конструктивно-технологических решений для построения ИС на диэлектрических подложках с требуемыми параметрами.

Владеть:

- навыками, приемами, средствами решений инженерных задач по проектированию схем на изолирующих подложках;

- методами оптимизации конструкции и технологии интегральных схем и их элементов.

Приобрести опыт деятельности: владеть основами конструктивно-технологической реализации ИС на диэлектрических подложках для решения инженерных задач при создании узлов РЭА и ВТ , знать методы и способы построения БИС, уметь использовать конкретных структур элементов для создания ИС с требуемыми параметрами.

7.Общая трудоемкость дисциплины.

  1. зачетных единицы (180 академических часа)

8.Формы контроля.

Промежуточные аттестация, экзамен (3 семестр).

9.Составитель.

д.т.н, профессор Мустафаев Г.А.


        1. Каталог: docs
          docs -> Оценка рисков в Донецком бассейне Закрытие шахт и породные отвалы Филипп Пек
          docs -> Потенциальные места трудоустройства выпускников огу в разрезе укрупненных групп направлений подготовки и специальностей
          docs -> Наименование специализированных аудиторий и лабораторий Перечень оборудования
          docs -> Инструкция по использованию «вак-системы»
          docs -> Решение заказчика
          docs -> Программа дисциплины корпоративные системы управления проектами фгос впо третьего поколения Профессиональный цикл
          docs -> Круг обязанностей
          docs -> Решение проблем формирования профессиональной компетенции педагога в условиях информатизации современного образования требует изменения содержания существующей
          docs -> Iid-094 «Интегрированная корпоративная система отчетности (иксо)» Техническое задание москва 2015


          Поделитесь с Вашими друзьями:
1   ...   6   7   8   9   10   11   12   13   14


База данных защищена авторским правом ©grazit.ru 2019
обратиться к администрации

войти | регистрация
    Главная страница


загрузить материал