Схемотехника


Логические интегральные схемы



страница2/6
Дата17.10.2016
Размер0.91 Mb.
ТипРеферат
1   2   3   4   5   6

7. Логические интегральные схемы.

7.1. Представление логических переменных в электронной аппаратуре


Большинство цифровых микросхем относятся к потенциальным микросхемам, в которых сигнал на их входе представляется высоким или низким уровнем напряжения. Этим уровням соответствуют логические значения 1 и 0. Существуют два способа представления логических переменных:

1. Высокий уровень напряжения - 1, низкий - 0 (положительная логика).

2. Высокий уровень напряжения - 0, низкий - 1 (отрицательная логика).

Логические операции, выполняемые микросхемами, обычно указывают для положительной логики.


7.2. Базовые логические элементы


Разработкой каждой серии цифровых ИС начинается с базового логического элемента. Так называют элемент, который лежит в основе всех микросхем серии: комбинационных(логических), триггеров, счетчиков и др. Как правило, базовые логические элементы выполняют операции "И-НЕ" либо "ИЛИ-НЕ". Принцип построения базового элемента, способ управления его работой, напряжение питания и другие параметры являются определяющими для всех ИС данной серии. Широко распространены ИС, построенные на базовых элементах транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)

7.2.1. Технология ТТЛ


Базовый элемент ТТЛ (рис. а) строится на основе многоэмиттерного транзистора VT1, обеспечивающего коньюнкцию входных сигналов Xi, и сложного инвертора на транзисторах VT2-:VT4, выполняющего операцию "НЕ".

Когда на все входы Xi многоэмиттерного транзистора поданы сигналы 1 (высокий потенциал, сравнимый с +E), все его эмиттерные переходы закрыты. Ток от источника через резистор R1 и коллекторный переход VT1 поступает на базу VT2. Транзистор VT2 открывается до насыщения и открывает VT4 также до насыщения. Транзистор VT3 в это время закрыт, поскольку напряжение на коллекторе открытого транзистора VT2 мало. Диод VD служит для повышения порога открывания транзистора VT3.



Рисунок 2.6 – Базовый элемент ТТЛ

Таким образом, рассмотренный элемент ТТЛ выполняет логическую операцию

"И-НЕ" ().

Для ограничения тока через открытый транзистор VT3 при случайном коротком замыкании выхода элемента включен резистор R4.

В состав некоторых серий цифровых ИС ТТЛ входят логические элементы без коллекторной нагрузки выходного транзистора VT4 - элементы с "открытым" коллектором. Они предназначены для работы с внешней нагрузкой в виде индикаторных приборов, светодиодов и т.д.

Если какие либо из входов многоэмиттерного транзистора никуда не подключены, то это воспринимается элементом как подача на эти входы 1, так как тока в цепи неподключенного эмиттера нет.Поэтому, например, элементы "И-НЕ" ("ИЛИ-НЕ") можно использовать как простые инверторы, подавая инвертируемый сигнал соединяя все входы вместе..В схеме

"И-НЕ" сигнал можно подавать только на один из входов,оставляя остальные неподключенными(рис.2-7).





Рисунок 2.7 – Использование элементов “и-не’, ’или-не’ как инверторов


Вход ИС транзистор-транзисторной логики(ТТЛ) реализуется с помощью многоэмиттерного транзистора.

Рисунок 2.8 – Многоэмиттерный транзистор


При подаче хотя бы на один из эмиттеров уровня “0”, ток из выходной цепи Rн переключается во входную цепь и на выходе устанавливается “0”. Если на все входы подать уровень “1”, тогда во входной цепи тока не будет, он пойдет через Rн и на выходе будет “1”. Данная схема выполняет операцию “и”. Если на входы ничего не подавать, то тока во входной цепи также не будет и на выходе появится “висячая 1”. При соединении многоэмиттерного транзистора и сложного инвертора образуется элемент “и-не”.

7.2.2. Пути повышения быстродействия ТТЛ схем


1) Нелинейная обратная связь (НОС)

Рисунок 2.9 – НОС с помощью диода


При подаче на вход напряжения единичного уровня транзистор открывается и напряжение на выходе начинает падать. В какой-то момент потенциал φа < φb , следовательно VD открывается и дальнейшего насыщения не происходит. Поэтому при подаче Uвх=0 транзистор закрывается значительно быстрее.
2) Применение диодов и транзисторов Шоттки.

ДШ – диод Шоттки (диод на горячих носителях).



Рисунок 2.10 – Условное обозначение и характеристика диода Шоттки


В них выпрямительный контакт расположен на границе между металлом и полу­проводником, а носители зарядов и в полупроводниках, и в металле – электроны. Неосновных носителей нет.Соединение ДШ + транзистор образуют транзистор Шоттки (555 серия).


7.2.3. Технология КМОП


В качестве инверторов можно использовать МОП транзисторы ,но р- и n-канальные цифровые элементы оказались непрактичными как базовые для мас­совых микросхем прежде всего из-за низкого быстродействия. Действи­тельно, при Rс=100кОм и емкости нагрузки Сн=30 пФ время отклю­чения составит t1,0 =2,2RcCн=6,6 мкс,что соответствует максимальной частоте входных импульсов 150 кГц.

Увеличить быстродействие на порядок позволяет последовательное (столбиком) соединение р и n-канальных МОП-транзисторов. Тогда резистор Rc в схеме не нужен, а заряд и разряд паразитных нагрузоч­ных емкостей будет происходить через относительно небольшие сопро­тивления р и n-каналов .

С помощью металлизации поверхности кристалла элементы структуры соединяются в схему инвертора DD1(рис.в) . К затворам при­соединен защитный стабилитрон VD1 ,без него вход инверто­ра будет пробит статическим электричеством

Цифровые микросхемы должны быть крайне устойчивы к таким яв­лениям, как пробои от статического или наведенного от силовых сетей электричества. Прежде всего защита гарантируется их структурой.

На рисунке г показана полная эквивалентная схема инвертора КМОП. Стоковое напряжение (плюс источника питания) подключается на n-подложку.

в г


Рис.2-11 Упрощенная и полная схемы инвертора на КМОП транзисторах


Конденсатор С символизирует входную емкость инвертора. Как правило, она составляет от 5 до 15 пф. Диоды VD1 – VD3 защищают изоляцию затвора от пробоя. Диод VD1 имеет пробивное на­пряжение 25 В, VD2 и VDЗ-50 В. Последовательный резистор R=200 Ом... 2 кОм не позволяет скачку тока короткого замыкания пере­даваться в незаряженную входную емкость С. Тем самым за­щищается выход предыдущего (управляющего) инвертора от импульсной перегрузки. Диоды VD4-VD5 защищают выход инвертора от пробоя между n+ и p+ областями .Диод VD6 защищает канал от ошибочной перемены полярности питания.

7.2.4. ЭСЛ технология


Цифровые микросхемы эмиттерно-связанной логики (ЭСЛ) имеют наибольшее быстродействие, достигшее в настоящее время субнаносекундного диапазона. Особенность ЭСЛ в том, что схема логичес­кого элемента строится на основе интегрального дифференциального усилителя (ДУ), транзисторы которого могут переключать ток и при этом никогда не попадают в режим насыщения. Поэтому такие схемы самые быстродействующие.

Рис.2-12 Схема элемента ЭСЛ

На рис.2-12 а показана основа логического элемента DD1—переклю­чатель тока I0. Если входным сигналом Uвх открыть транзистор VТ1, через него потечет весь ток I0, вытекающий из общей точки связанных эмиттеров Э. На коллекторе транзистора VТ1 окажется напряжение низкого уровня. В этот момент транзистор VТ2 тока не имеет, он вы­нужденно находится в состоянии отсечки. На его коллекторе присутству­ет напряжение высокого уровня.

Наличие генератора стабильного тока (ГСТ) принципиально, с его помощью строго фиксируются выходные логические уровни.

В отличие от аналоговых применений дифференциального усилите­ля, когда стремятся использовать разность напряжений Uвых между коллекторами, цифровая микросхема, переключающая ток I0, снабжается двумя инверсными выходами логических уровней, где выделяются напряжения высокого и низкого уровней.

На рис.2-12б показан простейший одновходовый элемент ЭСЛ. Новым в развитии элемента DD1 (рис. а) здесь является источник опор­ного напряжения Uоп. Это напряжение фиксирует порог срабатывания переключателя тока. Тем самым дифференциальный усилитель превра­щается в логический элемент. У него теперь два состояния выходов, ко­торые переключаются лишь при условиях: Uвх>Uоп или UвхQ велико, оно приближается к величине Rн. Для снижения выходного сопротивления к коллекторным выхо­дам подключаются эмиттерные повторители, работающие в линейном режиме . Теперь выходное сопро­тивление эмиттерного выхода значительно уменьшается:

Rвых=Rk/(B+1),

где (В+1)—коэффициент усиления транзистора—эмиттерного повто­рителя по току. Эмиттерные выходы чаще делаются “открытыми”, что­бы можно было их соединять в элементы “монтажное ИЛИ”.. Сопротивление внешнего нагрузочного резистора Rэн можно выбрать от 300 Ом до 30 кОм.

Принципиальная особенность микросхем ЭСЛ: они питаются отрицательным напряжением-Uи.п э (то есть напряжение подается от эмиттеров), причем коллекторные цепи заземляются. Этим способом повышается помехоустойчивость ЭСЛ. Ток потребления Iпот вытекает из микросхемы в источник.

7.2.5. Параметры цифровых интегральных схем


Kоб - коэффициент объединения по входу, определяет число входов данной микросхемы, по которым реализуется логическая функция; Uп - допустимое напряжение статической помехи, определяется как разность выходного и входного напряжений, соответствующих уровню логической 1, либо уровню логического 0. В расчет принимается меньшее из значений Uп1 = Uвых'- Uвх' и Uп0 = Uвх0 - Uвых0; Pпот.ср - средняя потребляемая мощность, определяемая выражением Pпот.ср = (Pпот0 + Pпот1)/2, где Pпот0, Pпот1 - потребляемая микросхемой мощность в состоянии соответственно 0 и 1 на входе.

Средняя потребляемая мощность тесно связана с быстродействием микросхемы: чем больше Pпот.ср, тем с большей частотой может переключаться схема.


7.2.6. Динамические параметры ИС


Основным динамическим усредненным параметром быстродействия ИС является среднее время задержки распространения сигнала , где - время задержки распространения сигнала при выключении микросхемы, - время задержки при включении микросхемы.

7.2.7. Статические параметры ИС


Uип - напряжение источника питания;

U0вх,U0вых - входное и выходное напряжение логического 0;

U1вх,U1вых - входное и выходное напряжение логической 1;

I0вх,I0вых - входной и выходной ток логического 0;

I1вх,I1вых - входной и выходной ток логической 1;

Kраз - коэффициент разветвления по выходу, определяет число входов микросхем - нагрузок, которые можно одновременно подключить к выходу данной микросхемы;

7.3. Условные обозначения интегральных схем


Интегральные микросхемы объединены в серии. Серия состоит из совокупности различных типов ИС, имеющих одинаковое конструктивное оформление и изготавливаемых на основе одинаковых базовых элементарных схем.

Условное обозначение различных типов ИС состоит из четырех элементов. Первый элемент - цифра, указывающая на технологическую разновидность микросхемы: полупроводниковые 1, 5, 7; гибридные - 2, 4, 6, 8; прочие - 3. Второй элемент обозначает порядковый номер серии и состоит из двух цифр 00-:99. Третий индекс из двух букв определяет функциональные свойства ИС, ее назначение. Четвертый элемент - порядковый номер разработки ИС в данной серии для микросхем одного назначения. Более подробные данные об ИС приводятся в справочниках.





Поделитесь с Вашими друзьями:
1   2   3   4   5   6


База данных защищена авторским правом ©grazit.ru 2019
обратиться к администрации

войти | регистрация
    Главная страница


загрузить материал